LV/HV N-Well BiCMOS[B]芯片与制程结构

作者：潘桂忠

来源：集成电路应用, 2018, 35(03): 40-44.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.03.011

• 集成电路制造
• 偏置栅结构
• LV/HV N-Well BiCMOS[B]
• 芯片结构,制程剖面结构

LV/HV N-Well BiCMOS[B]技术能够实现低压5 V与高压100700 V(或更高)兼容的BiCMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到高电压。采用MOS集成电路芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。

• 单位
  上海贝岭股份有限公司