退火对6H-SiC晶体的光学性质及光致发光的影响

作者：马峥; 连洁; 王青圃; 马跃进; **; 高尚; 吴仕梁; 王晓; 徐现刚; 李娟

来源：红外与激光工程, 2010, (05): 879-882.

• 6H-SiC晶体
• 光学性质
• 光致发光 6H-SiC crystal
• Optical properties
• Photoluminescence

利用双光束分光光度计对高温退火前后的掺氮和未掺杂6H-SiC晶体的透射及反射谱进行了分析,发现无论退火前后,两种SiC晶体在紫外区均存在强烈的吸收。在可见和近红外区,尤其是未掺杂SiC样品具有很高的透射率,退火后,两种样品的透射率均明显提高。利用荧光分光光度计研究了退火前后样品的光致发光特性,结果表明:在390 nm Xe灯激发下,两种样品在417 nm和436 nm处均可观察到蓝光发射,417 nm处的发光归结于C簇的发光,436 nm处的发光机理为从晶粒的核心激发载流子转移到晶粒表面,并与其上的发光中心辐射复合;同时,掺氮SiC在575 nm处还存在发光峰,为氮掺入后引起的非晶SiC的发光...

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室