锡烯在应力和电场下的电子结构研究

作者:文黎巍; 刘书成; 刘润东
来源:周口师范学院学报, 2022, 39(05): 48-51.
DOI:10.13450/j.cnki.jzknu.2022.05.009

摘要

基于第一性原理密度泛函理论计算研究了锡烯在水平应力和垂直电场调控下的稳定结构和电子结构。计算结果表明:锡烯扭曲常数随着应力的增大变小,键长变长。不考虑自旋轨道耦合的情况下,带隙并没有打开,应力可以使但价带顶向上移动,穿过费密能级,显出金属性质;考虑自旋轨道耦合的情况下,价带顶上移的同时带隙打开0.07 eV。锡烯在0.1~0.5 eV的垂直电场下,不考虑自旋轨道耦合时,随着电场的增大带隙变大并显出金属性;考虑自旋轨道耦合时,随着电场的增大带隙变小并由半导体向金属性转变。

  • 单位
    河南工程学院

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