利用探测器光电响应的带尾温变特性研究GaN/AlGaN界面极化电荷

作者：王雅娴; 杨帆; 杨富城; 刘福浩

来源：半导体技术, 2022, 47(10): 781-787.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.10.003

• AlGaN
• 日盲
• 温变
• 带尾响应
• 极化效应

日盲紫外探测器的抑制比由带尾响应决定，制作欧姆接触的高掺杂浓度p-GaN帽层是导致探测器带尾响应存在的不利因素。利用p-GaN/AlGaN界面极化电荷的调控，可以有效地抑制带尾响应。针对AlGaN吸收分离倍增(SAM)结构日盲雪崩光电二极管(APD)探测器进行了变温响应光谱测试，分析了正照射和背照射时响应光谱的差别，重点对带尾响应在低温下得到有效抑制的情况进行了讨论，认为在只有温变的情况下，异质结极化效应的增强起主导作用。对响应光谱进行了理论仿真计算，根据室温下自发极化及压电极化计算分析，得到了与室温下测试性能较为自洽的结果。基于带尾响应的温变特性，拟合得到极化电荷密度随温度的变化关系，提供了一种在SAM结构中利用响应光谱研究GaN/AlGaN界面极化电荷的新方法。

• 单位
  上海科技大学; 中国科学院大学; 中国科学院上海技术物理研究所