低剂量镉对肝细胞氧化应激及铁死亡相关基因转录水平的影响

作者：柯伟奕; 陈慧峰; 蔡丽娜; 周林倩; 闫雪华; 余日安

来源：环境与健康杂志, 2022, 39(12): 497-501.

DOI：10.16241/j.cnki.1001-5914.2020.00.000

• 镉
• 铁死亡
• 氧化应激
• 基因

目的 探讨低剂量镉长期暴露对肝细胞氧化应激及铁死亡相关基因转录水平的影响.方法 将对数生长期的L-02和HepG2分别暴露于 0(对照)、0.5、1、2、4、6、8、10、12、14 μmol/L氯化镉染毒 24 h,采用MTT法检测细胞活性;以 0.5、1.0 μmol/L氯化镉溶液染毒 24 h,每 3d染毒 1 次,连续两周,检测细胞SOD活力、MDA含量及铁死亡相关基因GPX4、SLC7A11 mRNA的表达水平.结果 与对照组相比,2.0～14.0 μmol/L氯化镉染毒HepG2 细胞的存活率均较低,差异有统计学意义(P＜0.05);而各浓度氯化镉染毒L-02 细胞的存活率均无明显改变.且随着氯化镉染毒浓度的升高,HepG2 细胞的存活率呈下降趋势.与对照组相比,仅 0.5、1.0 μmol/L染毒L-02 细胞第 2 周时SOD活力下降,差异均有统计学意义(P＜0.05);而HepG2细胞的SOD活力均无明显改变.且随着氯化镉染毒浓度的升高,第 2 周时HepG2 和L-02 细胞的SOD活力呈下降趋势;而随着染毒时间的延长,不同浓度氯化镉染毒HepG2和L-02 细胞的SOD活力均呈下降趋势.与对照组相比,仅 1.0 μmol/L染毒L-02 细胞第 2 周时MDA含量升高,差异有统计学意义(P＜0.05);而HepG2 细胞的MDA含量均无明显改变.且随着氯化镉染毒浓度的升高和染毒时间的延长,HepG2 和L-02 细胞的MDA含量均呈上升趋势.与对照组相比,仅第 2 周时 0.5、1.0 μmol/L染毒L-02 细胞和 1.0 μmol/L染毒HepG2 细胞GPX4、SLC7A11 mRNA表达水平下降,差异均有统计学意义(P＜0.05);且随着氯化镉染毒浓度的升高和染毒时间的延长,HepG2 和L-02 细胞GPX4、SLC7A11 mRNA表达水平均呈下降趋势.结论 低剂量镉长期暴露可诱导肝细胞发生氧化应激,引起铁死亡相关基因GPX4、SLC7A11 转录水平下降,初步提示铁死亡可能参与了低剂量镉暴露诱导的肝细胞损伤.