6H-SiC衬底片的表面处理(英文)

作者：陈秀芳; 徐现刚; 胡小波; 杨光; 宁丽娜; 王英民; 李娟; 姜守振; 蒋民华

来源：人工晶体学报, 2007, (05): 962-966.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2007.05.005

• 6H-SiC
• 衬底
• 表面处理
• 研磨
• 化学机械抛光 6H-SiC
• substrate
• surface treatment
• lapping
• chemi-mechanical polishing

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底。本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响。用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面。结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量。经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm。在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室