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摘要
采用Si粉、酚醛树脂和硝酸铁为原料，通过简单的催化碳化工艺在氩气下合成Si C粉体。研究了热处理温度和硝酸铁添加量对合成Si C形貌和生成量的影响，并揭示了Si C的形成机理。结果表明，热处理温度为1 450℃，硝酸铁添加量为5%时，可以制备结晶度和生成量较高的Si C粉体；不添加硝酸铁的试样中，Si C晶须以直线形和表面粗糙的絮状形貌存在；添加硝酸铁促进了Si C晶须的生成，晶须以絮状形貌为主，其直径尺寸减小，且表面变得光滑；热处理温度低于1 410℃（Si熔点温度），不添加催化剂和添加催化剂的样品中晶须分别遵循气-固和气-液-固生长机制，而热处理温度高于1 410℃时，晶须遵循气-液-固生长机制。
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