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摘要
本发明公开了一种氧化镓基场效应晶体管,属于半导体电子技术领域,包括衬底,所述衬底上部设有绝缘层,所述绝缘层上部设有氧化镓沟道层,所述氧化镓沟道层上部两端分别设有二维层状材料界面修饰层,两端的所述二维层状材料界面修饰层上部分别设有源漏区电极,所述氧化镓沟道层上部在两个所述源漏区电极之间设有介质层,所述介质层上部设有栅电极；本发明设有二维层状材料界面修饰层,克服了现有技术的金属直接与氧化镓沟道层接触使得接触特性受表面氧悬挂键影响且接触电阻较大的问题,使得本发明的氧化镓基场效应晶体管具有较低的电极接触电阻,较高的载流子注入效率。
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