PECVD法低温制备纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析

作者：邱胜桦; 陈城钊; 刘翠青; 吴燕丹; 李平; 林璇英

来源：材料研究与应用, 2008, 2(4): 428-431.

DOI：10.3969/j.issn.1673-9981.2008.04.048

• 纳米晶硅薄膜
• 晶化率
• RF-PECVD
• Raman谱

以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较低的温度(200℃)和较高的压强(230 Pa)下,在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10-10m/s,晶化率大于60%的纳米晶硅薄膜.利用Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米晶硅薄膜的晶化特性的影响.结果表明,薄膜的晶化率、沉积速率与硅烷浓度和射频功率存在着密切的关系.随着硅烷浓度的降低,即氢稀释率的提高,晶化率提高,而沉积速率随着射频功率的增大而增大.当硅烷体积浓度为1%、射频功率为70 W时,获得晶化率接近70%的优质纳米晶硅薄膜.

• 单位
  韩山师范学院; 汕头大学