a-Si∶H薄膜的磷-碳二元复合掺杂改性研究

作者：蔡海洪; 李伟; 蒋亚东; 龚宇光; 李志

来源：半导体光电, 2010, (03): 372-375+379.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2010.03.009

• a-Si∶H薄膜
• 磷-碳掺杂
• XPS
• FTIR
• 光学性能 a-Si:H thin film
• P-C co-doping
• XPS
• FTIR
• optical properties

以SiH4,PH3,CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4流量制备了磷、碳二元掺杂非晶硅薄膜,研究了磷、碳二元掺杂对薄膜微观结构和光学性能的影响。用X射线光电子能谱仪(XPS)观察到了C-Si峰的存在,同时发现随着CH4流量的增加,薄膜中C元素含量逐渐增大。傅里叶转换红外光谱(FTIR)测试表明,掺杂薄膜中的H含量随着CH4流量的增加逐渐增大,由11.5%增大到24.6%。光学性能测试表明,随着CH4流量的增加,掺杂薄膜的折射率逐渐降低,而光学带隙逐渐增加。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学; 光电信息学院