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摘要
二维材料由于独特的光学和电学特性,在光电子器件领域具有广阔的应用前景。作为最具代表性材料之一的二硫化钼,因具有原子级界面和层数关联的能带结构,在光电探测领域拥有诸多重要的优势。近年来,基于纯粹的二硫化钼器件性能已达瓶颈。为进一步提升性能,能带工程、铁电极化、等离激元共振等方法也已被用于光电探测器,并取得重要进展,但整个知识体系尚未建立完善。基于此,从光电探测器理论和应用出发,简要总结了二硫化钼光电探测的最新研究现状,重点阐述了上述三种二硫化钼新型器件的原理、结构设计、制备与光电性能,为进一步深入研究机理和应用提供了重要参考和指导。
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