Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

作者：黄伟; 张利春; 高玉芝; 金海岩; 卢建政; 张慧

来源：固体电子学研究与进展, 2005, 25(03): 422-426.

DOI：10.3969/j.issn.1000-3819.2005.03.026

• 镍硅化物
• 快速热退火
• X射线衍射分析
• 卢瑟福背面散射分析

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。

• 单位
  北京大学