基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算，研究了过渡金属元素Sc、Cr和Mn掺杂对Mg2Ge晶体光、电、磁性质的影响。结果表明，Sc掺杂能使Mg2Ge的费米能级进入导带，呈n型简并半导体；Cr和Mn掺杂能使Mg2Ge能带结构和态密度在费米能级附近产生自旋劈裂而形成净磁矩，表现为半金属磁体和稀磁半导体，体系净磁矩均来自杂质原子3d轨道电子及其诱导极化的Ge4p态和Mg2p态自旋电子。与本征Mg2Ge相比，掺杂体系静态介电常数增大，扩展了吸收光谱，提升了近红外光波段吸收能力。
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