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摘要
通过霍尔槽试验、电化学测试、扫描电镜分析和X射线衍射,研究了氨基三亚甲基膦酸(ATMP)作为辅助配位剂时对羟基乙叉二膦酸(HEDP)镀铜体系中铜电沉积行为及镀层结构的影响。结果表明,ATMP可以显著阻碍铜的电沉积,细化镀层晶粒,且具有一定的整平作用,但不会改变Cu的形核方式。ATMP主要作用在高电流密度区,适量ATMP的加入有助于拓宽光亮电流密度范围,降低铜阳极的钝化,但ATMP过量会导致高电流密度区镀层烧焦。镀液中加入9 g/L ATMP时,所得的铜镀层结晶细致均匀,平均晶粒尺寸约为37.5 nm。
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单位湖北三江航天江北机械工程有限公司; 南昌航空大学
