应用于5GHz频段的宽带低噪声放大器设计

作者：吴晓文; 陈晓东^*; 刘轶

来源：微电子学与计算机, 2018, 35(09): 95-98.

DOI：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2018.09.020

• SiGeBiCMOS
• 低噪声放大器
• 无线局域网
• 宽带

针对WLAN 802.11a/ax频段和未来第五代移动通信5GHz以上应用,设计了一款56GHz的低噪声放大器(LNA),其工艺基于IBM 0.18μm SiGeBiCMOS工艺.该设计采用共发射极的两级放大结构,第一级采用射极电感负反馈,第二级采用电压并联负反馈,有效优化了噪声系数和线性度.测试结果表明在56GHz频率范围内,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-14.6dB和-12.8dB,正向增益S21大于10.4dB,噪声系数小于2.7dB.在2.5V工作电压下,功耗为15mW.

• 单位
  中国科学院上海高等研究院; 中国科学院大学; 复旦大学