InP晶体中Fe、B、Cu和Zn的杂质分析

作者：王阳; 孙聂枫^*; 李晓岚; 王书杰; 邵会民; 史艳磊; 付莉杰

来源：微纳电子技术, 2020, 57(08): 631-636.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.08.006

• 磷化铟(InP)
• Fe浓度
• 杂质分布
• 分凝
• 缺陷

采用液封直拉(LEC)法制备了掺Fe半绝缘磷化铟(InP)晶体,通过电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法和辉光放电质谱(GDMS)法等直接测试元素含量的方法研究了作为掺杂剂的Fe浓度分布和含量较高的B、Cu和Zn杂质对晶体质量的影响。结果表明,Fe浓度在径向上呈现"W"形分布,整体上中心低、边缘高,但在中心附近微小增高;在轴向上呈现从晶体头部到尾部浓度逐渐增加的趋势;经GDMS全元素检测发现,在晶体头部的中心,B、Cu和Zn等杂质的浓度高。通过分析得出,Fe浓度在径向和轴向上的分布受杂质分凝、固液界面形状和局部微观扩散等因素影响;B、Cu和Zn等杂质主要来源液封剂B2O3和石墨系统沾污等,并且由于这些杂质的引入,导致晶体内容易产生难熔的In氧化物,在晶体内形成夹杂物的缺陷。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所