硅锥场发射阵列中离子轰击现象的分析

作者：高迎宾; 张晓兵; 雷威; 王保平

来源：计算物理, 2005, (01): 38-42.

DOI：10.19596/j.cnki.1001-246x.2005.01.006

• 场发射
• 离子轰击
• 数值模拟 field emission
• ion bombardment
• numerical simulation

　离子轰击影响尖端场致发射器件的稳定性和工作寿命.阐述了数值模拟硅锥阴极离子轰击现象的基本理论,并以硅锥场发射阵列的一个单元结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰尖端的全过程,对模型中的硅锥受损的位置和程度进行了分析,得出了一些结论.

• 单位
  东南大学