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摘要
本发明公开了一种二硫化铪为沟道的浮栅结构晶体管及其制备方法,所述浮栅结构晶体管以石墨烯为浮栅,氮化硼为隧穿层,二硫化铪作为沟道。其制备方法为机械剥离法。首先用英格兰胶带从石墨烯二维材料块材上剥离薄膜材料,将附着有二维薄膜材料的胶带对准粘到剥离专用热释放胶带上,再利用光学显微镜选择均匀且厚度合适的层状二维材料,然后利用此方法依次剥离氮化硼和二硫化铪,并按照剥离顺序依次转移到硅/二氧化硅衬底上。最后利用电子束光刻技术和热蒸发镀膜仪在硫化铪两端制备镍/金电极。本发明制备的浮栅结构晶体管不仅实现了二维浮栅结构,具有非易失性存储性能,能够同时灵敏存储光信息与电信息,而且制备的晶体管迁移率高,开关比大。
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