用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计

作者：劳燕锋; 吴惠桢

来源：稀有金属, 2004, (03): 511-515.

• 半导体激光器
• 量子阱结构
• 应变
• 光增益谱 semiconductor laser
• quantum well structures
• strain
• optical gain spectra

采用有效质量模型下的 4× 4Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1 -xAs/In0 .80 Ga0 .2 0 As0 .4 4P0 .56 /InP量子阱结构进行了能带计算 ,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系 ,从而得到了激射波长 1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在 5～ 10nm内取值 )的相互关系 :x=0 .3 2 0 13 +0 .0 60 93Lw-0 .0 0 5 3 4Lw2 +0 .0 0 0 17483Lw3,当阱宽为 5～ 10nm ,因而Ga组份为 0 .5 1～ 0 .5 7时 ,阱材料中产生的张应变量为 :0 .2 9%～ ...

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所