电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响

作者：姬庆刚; 刘杰^*; 李东青; 刘天奇; 叶兵; 赵培雄; 孙友梅; 陆妩; 郑齐文

来源：原子核物理评论, 2019, 36(03): 367-372.

• 单粒子翻转
• 总剂量效应
• 协同效应
• 静态随机存储器

电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。

• 单位
  中国科学院新疆理化技术研究所; 中国科学院大学; 中国科学院近代物理研究所