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摘要
本发明涉及一种具有低密度C空位缺陷的碳化硅外延的制备方法。该方法包括：将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,并将反应室抽成真空；向反应室中通入具有第一恒定流量的第一氢气流,在第一氢气流及第一恒压下对反应室加热至第一恒温；在第一恒温下对放置于反应室中的碳化硅衬底进行原位刻蚀；将反应室加热至第二恒温并将反应室气压调节至第二恒压后,向反应室通入C3H8、SiH4,在碳化硅衬底上生长外延层,外延层包括第一外延层、第二外延层、……、第N外延层；在第三恒压下、在具有第二恒定流量的第二氢气流中冷却长有外延层的碳化硅衬底；在第四恒压下、在第二氢气流中冷却长有外延层的碳化硅衬底；在第四恒温下、在具有第三恒定流量的氩气流中冷却长有外延层的碳化硅衬底,得到碳化硅外延片。
- 单位
