电极/表面接触与SrTiO3陶瓷片介电性能的关系

作者：加晶晶; 董浩; 石大为; 黄秋安; 何创创; 庞锦标; 杨昌平^*

来源：湖北大学学报(自然科学版), 2019, 41(02): 132-136.

• SrTiO3
• 晶界层电容
• 介电性能
• 电极/半导体界面接触
• 欧姆接触

理论上,SrTiO3(以下简称STO)晶界层电容器介电常数取决于陶瓷片的晶粒大小、导电性、晶界绝缘层的厚度和介电常数.但对实际的STO晶界层陶瓷电容器研究发现,金属电极与STO陶瓷片的表面接触对电容器的电容和介电常数也有很大影响.研究表明,当电极/STO为非欧姆接触时,STO陶瓷片的电容和介电常数较小;当电极/STO为欧姆接触时,STO陶瓷片电容器的电容和介电常数增大.采用Ag浆制作电极时,通过调整烧制Ag电极的温度和时间,当T=880℃,t=3. 5 h时,STO电容器的介电性能达到最佳,εr=22 850,tgδ=1. 0%.