氮化镓(GaN)等第三代半导体材料有着广阔的应用前景。鉴于气相淀积生长法易于控制薄膜的厚度、组分和掺杂,从事这些新型半导体材料研究的单位多采用气相淀积生长法系统。GaN的气相淀积生长法主要有MOCVD法和HVPE法。本文提出一种MOCVD与HVPE相结合的薄膜制备设备,通过多物理场耦合有限元模拟分析,探讨两种方法在设备结构上兼容共享的可行性。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
