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摘要
采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82?。77 K下,SiO2钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10～5Ω?cm2,暗电流密度为5.27×10-7A?cm-2,侧壁电阻率为6.83×10～6Ω?cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10～6Ω?cm2,暗电流密度为4.12×10-7A?cm-2,侧壁电阻率为4.49×10～7Ω?cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。
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