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摘要
将熔体旋甩法(MS)用于制备Ⅰ-型Sr8Ga16Ge30笼合物,研究了MS对Sr8Ga16Ge30笼合物微结构及热电性能的影响。结果表明,MS得到的Sr8Ga16Ge30薄带自由面晶粒尺寸随冷却速率的增加而减小,接触面未有明显结晶现象。薄带经SPS烧结得到的致密块体结构中存在大量精细的层状结构。与熔融+SPS制备的试样相比,熔融+MS+SPS制备的Sr8Ga16Ge30试样的电导率变化不大,Seebeck系数增加,热导率显著降低,其中铜辊转速为4 000 r/min的Sr8Ga16Ge30试样的ZT值在800 K达到0.74,相对于熔融+SPS试样提高了45%。
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