HEMT器件及其制备方法

作者：马晓华; 郝跃; 陈丽香; 祝杰杰; 刘捷龙

来源：2018-05-15, 中国, ZL201810461440.5.

本发明涉及一种HEMT器件及其制备方法,包括：S101、选取外延基片；所述外延基片由下往上依次包括衬底、成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；S102、在所述GaN缓冲层上制作源电极和漏电极；S103、在所述源电极、所述漏电极和所述GaN帽层上依次生长SiN层和有机物层形成钝化层；S104、在所述有机物层和所述GaN帽层上生长栅介质层；S105、制备栅电极和金属互联层以完成所述HEMT器件的制备。本发明提供的HEMT器件及其制备方法在生长SiN层再生长一层BCB有机物层,使器件具有低的吸湿性和优异的应力行为和良好的金属黏附性,可以提高器件可靠性。

• 单位
  西安电子科技大学