低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用

作者：林慧; 蒋亚东; 于军胜; 李军建; 王军; 邓建芳

来源：光电子-激光, 2007, (09): 1068-1070.

DOI：10.16136/j.joel.2007.09.009

• ITO薄膜
• 直流磁控溅射
• 透明有机电致发光器件(TOLEDs)
• 光电性能 indium-tin oxide(ITO) thin films
• DC magnetron sputtering
• transparent organic light-emitting diods(TOLEDs)
• optical and electrical performance

通过在直流磁控溅射过程中加入微量水蒸气的方法,在低于60℃温度条件下制备了具有优良光电性能的透明导电ITO薄膜,并探讨了溅射功率、基板温度对ITO薄膜光电性能的影响。利用制得的ITO薄膜作电极,制作了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/BCP/Mg∶Ag/ITO的透明有机电致发光器件(TOLEDs),结果表明,器件的平均透过率达到45%;在驱动电压15V的条件下,发光亮度达到了3000cd/m2。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 光电信息学院