退火对nc-Si镶嵌复合薄膜结构及发光特性的影响

作者：肖瑛; 刘涌; 侯春; 韩高荣

来源：浙江大学学报(工学版), 2005, (07): 926-930+1046.

• 纳米硅
• 化学气相沉积
• 退火
• 光致发光 <Keyword>nano-crystalline silicon
• chemical vapor deposition
• annealing
• photoluminescence (PL)

采用减压化学气相沉积方法,依靠纯N2稀释的SiH4气体的热分解反应,在玻璃表面生长了纳米硅镶嵌的复合薄膜.实验研究了退火前后薄膜样品的结晶状态和光致发光特性.结果表明,未退火样品的光致发光特性随沉积温度升高反而减弱.当退火温度>600℃时,晶化趋势明显;当退火温度<600℃时,对晶化的影响不显著,但提高退火温度或延长退火时间可以增加光致发光谱(PL)强度.通过HRTEM分析证实了薄膜为纳米硅镶嵌复合的特殊结构.并通过Raman、PL、HRTEM的比较分析,认为在退火前后分别有两种不同的发光机制起主导作用.

• 单位
  浙江工业大学; 硅材料国家重点实验室