一种可见光波长拓展型InGaAs焦平面探测器

作者：莫才平^*; 陈扬; 张圆圆; 柳聪; 卢杰; 兰逸君; 唐艳

来源：半导体光电, 2021, 42(06): 795-798.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2021101905

• InGaAs
• 可见-短波红外
• 阵列规模
• 焦平面

背照结构的InGaAs焦平面器件,受其衬底InP的阻挡,对可见光无响应。针对宽光谱探测的应用需求,研制了一种像元间距为25μm、阵列规模为640×512的InGaAs焦平面探测器。通过在倒焊互连工艺后,对器件进行干法、湿法相结合的减薄抛光工艺,所得探测器阵列(PDA)芯片最终保留厚度约5μm,实现了对400～1 700 nm光谱范围内可见光和短波红外光的同时响应,峰值探测率高于8×1012 cm·Hz1/2·W-1,峰值外量子效率超过85%,响应非均匀性优于6%,器件成像效果良好。