分析了特高压晶闸管的体内耐压及双负角造型下表面耐压机理。基于台面减薄工艺发展了径向变掺杂技术。该技术在芯片不降低阻断电压前提下厚度极薄化,制造并测试了传统平面结扩散及采用径向变掺杂技术的样品,测试结果显示,采用径向变掺杂技术的样品压降、流通能力及各动态参数均有很大的提高。