PLZT压电陶瓷准同晶相界处显微组织与性能的研究

作者：魏伟; 姚萍屏; 罗丰华

来源：粉末冶金技术, 2010, (03): 163-166+171.

DOI：10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2010.03.001

• PLZT
• 压电陶瓷
• 准同晶型相界
• 显微组织
• 性能 PLZT
• piezoelectric ceramics
• morphotropic phase boundary(MPB)
• microstructure
• property

采用粉末冶金法制备了压电陶瓷材料Pb0.92La0.08(ZrxTi1-x)O3(简称PLZT),研究了Zr与Ti的原子比对材料物相组成、显微结构以及介电、压电性能的影响。XRD和SEM分析结果表明,当0.64≤x≤0.66时,材料近于准同晶相界;x=0.65时,所得密度最高,达到7.62g/cm3,相对密度为96.33%,介电、压电常数和机电耦合系数最大,分别为εr=1182,d33=136.8pc/N,Kp=0.284,具有优良的综合电学性能。其原因主要是该陶瓷在电场作用下易发生准同晶相变。

• 单位
  中南大学; 粉末冶金国家重点实验室