Nb掺杂SnO2电子特性与光学性能第一性原理研究

作者：王贵; 王立坤; 蔡文豪; 杨静凯; 赵洪力^*

来源：功能材料, 2019, 50(11): 11109-11121.

• 二氧化锡
• Nb掺杂
• 杂化泛函
• 电子特性
• 光学性能

使用第一性原理杂化泛函HSE06的方法对Nb掺杂SnO2(NTO)的电子特性和光学性能进行了研究。计算得出NTO具有较小的结构畸变。本征SnO2的直接带隙为3.80 eV,Nb掺杂使SnO2的直接带隙减小,但大于3.33 eV。受Nb 4d轨道的影响,导带底的电子有效质量先减小后增加,并且导带向价带方向移动增加了电子亲和力。对其光学性能进行研究得出Nb掺杂扩宽了SnO2的光学带隙,使红外光区的反射率增加。

• 单位
  亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室; 燕山大学