一种电压可调式带隙基准源的研究与设计

作者：周瑞; 贺龙周; 赵心越

来源：科学技术创新, 2019, (14): 4-5.

• 可调式带隙基准
• 电源抑制比
• 电阻分压
• 低温度系数

本文设计一种低温漂系数的电压可调式CMOS带隙基准电压源,与传统的CMOS带隙基准电压源相比,该电压源不仅能生成1.24V的标准带隙基准电压,还可以可通过调整电阻的比值产生更低或者更高的基准电压。利用电阻分压法,基准电路可以在低电压条件下运行。采用TSMC 0.18umCMOS工艺,使用spectre仿真,在1.8V的供电电压下,可以产生1.2V的基准电压,在-40℃～120℃的温度范围内,其温度系数为12ppm/℃,电源抑制比为66d B。

• 单位
  成都信息工程大学