一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用

作者：梁慧

来源：2021-03-23, 中国, ZL202110308343.4.

本发明涉及金属薄膜技术领域,提供了一种镁纳米线薄膜的制备方法,本发明通过控制基底的倾斜角度和基底温度来控制纳米Mg薄膜的形貌。其中,当磁控溅射基底的倾斜角度为60°<α<89°,倾斜入射,沉积过程中,镁原子的扩散发生在磁控溅射束在膜表面上的投影的方向上,并且在平行于膜表面的方向上的扩散仅由入射角决定,可以使镁纳米线生长为直径均匀且镁纳米线分布均匀；当基底的温度为25～100℃时,能够得到分离良好的镁纳米线。实验结果表明,当基底温度为25℃,基底的倾斜角度为85°时,镁纳米线薄膜中镁纳米线分散良好,纳米线的直径为25～50nm,可以作为储氢固体材料。

• 单位
  徐州工程学院