AlN/蓝宝石模板上生长的Al0.6Ga0.4N薄膜结构与光学性能研究

作者：王君君; 刘宁炀; 张康; ***; 赵维; 范广涵; 张娜; 陈志涛

来源：材料研究与应用, 2014, 8(03): 169-172.

• 相分离
• AlN/蓝宝石模板
• Al0.6Ga0.4N

采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分Al0.6Ga0.4N薄膜,并采用高分辨率XRD(HRXRD)及阴极荧光(CL)方法对其进行了表征.结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率.

• 单位
  广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)