Al掺杂量和衬底温度对ALD沉积的ZnMgO:Al薄膜的影响

作者：郭栋豪; 唐芝平; 邓陈坤; 朱文超; 周驰宇; 谈晓辉^*

来源：西北师范大学学报(自然科学版), 2023, 59(02): 67-71.

DOI：10.16783/j.cnki.nwnuz.2023.02.011

• ZnMgO∶Al
• Al掺杂
• 衬底温度
• 透明导电薄膜

ZnMgO∶Al具有近紫外透明导电薄膜的应用潜力.使用原子层沉积(ALD)制备了ZnMgO∶Al薄膜,研究了Al掺杂量和衬底温度对ZnMgO∶Al薄膜的物相和光电性能的影响.研究结果表明,在较高Mg含量下,Al重掺杂(>5%)将破坏ZnMgO∶Al的结晶性,迅速恶化其电学性能.ZnMgO∶Al的光学性质对衬底温度不敏感,但较高的衬底温度(210℃)能大幅改善薄膜的导电性.

• 单位
  江西理工大学