一种屏蔽HVI影响的新型双沟槽SOI-LIGBT

作者：周峰; 杨立杰

来源：微电子学, 2019, 49(03): 422-426.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180315

• SOI-LIGBT
• 高压互连线
• 双沟槽
• 击穿电压

提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构。通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压。在新型LIGBT漂移区中,当沟槽与有源区之间的距离为13μm时,可以完全屏蔽HVI对SOI-LIGBT集电极的不良影响,HVI区域面积大幅减小。仿真结果表明,与传统结构相比,新型LIGBT的反向击穿电压提高了18.2%,为578 V,而HVI区域面积减小了60.8%。