深亚微米SOI工艺的输出结构ESD研究

作者：高国平; 黄登华

来源：电子与封装, 2017, 17(12): 45-47.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0149

• SOI
• ESD
• 输出缓冲器

SOI(Silicon-On-Insulator)是一种在未来很有竞争优势的工艺技术,但由于其与体硅工艺结构上的不同,给其ESD设计带来了额外的挑战。通过串联的NMOS管来提高输出管的触发电压,以提升输出缓冲器的ESD能力。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所