通过介绍SiC MOSFET的器件特性,重点研究了与Si基器件有不同特性的关键参数,如阈值电压、体二极管参数及短路参数,提出了全面、科学的SiC MOSFET参数体系;通过分析国内外测试方法现状及其适用性,对与SiC MOSFET自身特性有关的参数,如阈值电压、阈值电压稳定性等参数,进行了测试方法的重点研究。
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