Mg2SnO4具有典型的反尖晶石结构,由于存在大量缺陷,非常适合作为长余辉材料的基质材料,而且其成本低,结构稳定光学性能优异,应用前景非常广泛。通过在反尖晶石结构的Mg2SnO4材料中掺杂不同离子可以制备出不同性质的长余辉材料。本文主要介绍了Mg2SnO4系长余辉材料的常用的制备工艺方法和发光机理,从离子掺杂的角度分析其性能,并对反尖晶石结构的Mg2SnO4系长余辉材料在防伪、信息存储、成像等方面的应用现状进行了综述和展望。