Nd掺杂Mg2Si电子结构和光学性质的第一性原理研究

作者：李阳军; 杨昆; 周庭艳; 吴波^*

来源：人工晶体学报, 2021, 50(05): 825-830.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20210326.001

• Mg2Si
• 第一性原理
• 掺杂
• 电子结构
• 光学性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,探究了未掺杂Mg2Si以及Nd掺杂Mg2Si的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明:Nd掺杂Mg2Si后,Mg2Si禁带宽度从0.290 eV降低到0 eV,导电性能提升;未掺杂的Mg2Si,当光子能量大于0.9 eV时,才开始慢慢具备吸收能力,掺杂Nd之后的Mg2Si对能量为0.2 eV的光子就开始吸收,大大改善了Mg2Si对红外光电子的吸收。掺杂后的光吸收系数和反射率都变小,表明掺杂后的Mg2Si对光的穿透率增大。计算结果为Mg2Si材料在光电器件方面的应用提供了理论依据。

• 单位
  遵义师范学院; 贵州师范大学