光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价

作者：钱大憨; 贾嘉; 陈昱; 王韡; 汤亦聃; 朱龙源; 李向阳

来源：红外技术, 2011, (06): 328-331+344.

• 曲面延伸电极
• 光导型碲镉汞红外探测器
• 电阻表征
• 扫描电子显微镜
• 微观形貌 curved extended-electrode
• HgCdTe IR photoconductor
• resistance characterization
• SEM
• Micro topography characterization

制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,发现在延伸台阶的侧面有孔洞出现。通过改进镀膜工艺,延伸台阶侧面的金属薄膜致密无孔洞。这表明宏观的电阻表征对微观缺陷不敏感,对电极可靠性的表征要结合微观形貌表征进行;同时适当的薄膜制备条件可以使大台阶侧面获得致密的金属薄膜,从而获得良好的台阶覆盖性。

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院研究生院; 传感技术国家重点实验室