退火温度对BaSn0.94Sb0.06O3 NTC薄膜的影响

作者：李胜; 刘心宇^*; 袁昌来; 刘笑

来源：压电与声光, 2018, 40(05): 807-810.

• 射频磁控溅射
• 薄膜
• 热敏电阻
• 电学性能

采用射频磁控溅射技术成功制备了BaSn0.94Sb0.06O3薄膜,并研究了退火温度对薄膜微观结构及电学性能的影响。薄膜晶体结构呈现(110)晶面取向。在850℃退火中,BaSn0.94Sb0.06O3薄膜的表面粗糙度为0.8nm。该薄膜放在电阻炉(730850℃)中退火,随着退火温度的升高,薄膜电阻率从426.74Ω·cm急剧下降到31.28Ω·cm。在790850℃退火时,薄膜呈线性负温度系数(LNTC)热敏电阻。对薄膜进行复阻抗图谱研究。结果表明,随着薄膜退火温度的升高,薄膜晶粒与晶界表现出良好的LNTC热敏性能。

• 单位
  中南大学; 桂林电子科技大学