0.35-2GHz GaN HEMT超宽带高效率功率放大器设计

作者：韩娜; 廖学介; 杨秀强; 庞玉会

来源：电子世界, 2019, (21): 180-181.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2019.21.096

<正>设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配网络中,电容器采用MIM陶瓷电容实现,电感采用高阻线实现,匹配电路和管芯之间使用金丝键合,功放封装在24mm×17.4mm金属管壳。测试结果显示,该功率放大器在0.35-2GHz超宽频带内可实现:功率增益26dB,输出功率大于40dBm,功率附加效率40%～50%。引言:功率放大器通常位于射频前端发射机,将输入信

• 单位
  成都西科微波通讯有限公司; 成都嘉纳海威科技有限责任公司