一种大面积均匀单层二硫化钨及制备方法、光电子元件

作者：张紫璇; 王浩林; 耿龙飞; 李潇潇; 刘政; 白艳; 王琛泽; 周小伟; 谢涌; 吴巍伟; 李培咸

来源：2022-05-25, 中国, CN202210577172.X.

本发明公开了一种大面积均匀单层二硫化钨及制备方法、光电子元件,制备方法包括：利用水溶液,配置水溶性钨酸铵前驱体；利用紫外臭氧清洗仪,对衬底进行预处理；利用旋涂法,将水溶性钨酸铵前驱体旋涂于预处理后的衬底表面；利用CVD设备,以硫粉作为硫源,在旋涂后的衬底表面形成大面积且均匀的单层二硫化钨。本发明可以制备得到大面积均匀的单层二硫化钨。

• 单位
  西安电子科技大学