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摘要
Sb2Te3材料是一种具有快速相变特性的硫系化合物材料，但其热稳定性较差，高、低阻态之间的阻值差异小，不适宜制备相变存储器件。为解决Sb2Te3材料的高、低阻态的阻值差异小，热稳定性差的问题，提出对Sb2Te3材料进行碳(C)掺杂改性。试验制备了基于C掺杂Sb2Te3材料(C-Sb2Te3)的高速相变存储器件，并分析了氢(H)等离子体处理加热电极对相变存储器件性能的影响。基于C-Sb2Te3材料制备的相变存储器件的高、低阻态阻值比达两个数量级，器件的擦写循环次数达105次；分析氢(H)等离子体处理对器件性能的影响，加热电极经过H等离子体处理的相变存储器件高、低阻态的阻值稳定。研究表明：掺杂C使得Sb2Te3材料的结晶温度上升、晶粒细化；使用C掺杂Sb2Te3材料制备相变存储器件，并进行H等离子体处理，可得到一种具有热稳定性高、阻值稳定、能多次循环擦写的高速相变存储器件。
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