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摘要
为了提高SiC光催化性能,采用化学浸蚀法对碳化硅表面氧化层进行减薄处理,并对其表面形态和化学成分进行XRD、TEM、UV-vis DR、SXPS和FT-IR表征.结果表明:物相、形貌和光学带隙并没有发生改变,而XPS和FT-IR结果则表明碳化硅表面的Si—C结构转变为Si—O—Si结构.最优浸蚀条件和偏压条件下,即偏置电压±500V,浸蚀时间10h和氢氧化钠浓度1mol·L-1,紫外光催化效率和光电催化效率分别达到了45.9%和80%.与未改性碳化硅样品相比,NaOH浸蚀后SiC对光降解MB具有显著的光催化和光电催化活性,其光催化效率分别增大了24和36倍.
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