摘要

利用射频磁控溅射法结合后期热处理,在Si(100)基板上以不同的工艺条件成功制备了La0.5Ca0.5MnxTi1-xO3(LCMTO)复铁电性磁电子薄膜.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、电子衍射能谱(EDS)等手段对薄膜进行了相的形成、结构特性及薄膜组成等的测试.研究表明,薄膜在600℃以上开始析晶,850℃以上结晶完成,形成正交晶系钙钛矿相.硅基板上的LCMTO薄膜在不同温度下析出晶相的晶格常数不同,温度越高,晶相的晶格常数越大;薄膜厚度越大,晶格常数相对较小;在薄膜制备时提高氧分压,形成氧空位浓度低的完整晶相,Si基板上LCMTO薄膜的晶格常数相对较小.