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摘要
半导体光催化技术作为一种利用光能的新型技术,是目前污染物治理的重要方向。新型Bi5O7I光催化剂近年来备受关注,详细综述了Bi5O7I光催化剂的结构、制备方法、改性方法、复合异质结光催化氧化机制。Bi5O7I的晶体结构与卤氧化铋结构相似,其独特的内部静电场可以促进光催化剂反应过程中光生电子和空穴的分离。虽然Bi5O7I本身具有合适的带隙宽度,但也存在光生电子-空穴复合效率较高的缺点,可以通过构建p-n型异质结、Z-型异质结、金属离子沉积等方式增强光生电子和空穴的分离,提高Bi5O7I基光催化剂的光催化氧化性能。
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