氮气中C-Si系材料的高温变化过程

作者：邓承继; 祝洪喜; 易成雄; 白晨; 石生德

来源：武汉科技大学学报(自然科学版), 2008, (03): 268-272.

• C-Si系原料
• 氮气气氛
• 合成 C-Si system materials
• nitrogen atmosphere
• synthesis

以9组不同配料比的炭黑和单质硅为原料压制成试样,在氮气气氛下,分别于1 350,1 400,1 450,1 500,1 550℃下烧结,获得5个不同温度点合成样品;采用XRD分析技术研究试样的物相演变过程,研究C-Si系原料在氮气气氛合成过程中的物相变化和反应动力学机制。试验结果表明:试样在氮气气氛下合成,最终物相为SiC,α-Si3N4和β-Si3N4,硅含量高时还存在Si2N2O相,石英相和方石英相作为中间产物出现;氮化硅不仅可由单质硅氮化生成,还可由SiO2,Si2N2O与C还原氮化生成,α-Si3N4先于β-Si3N4生成,且温度升高会向β相转化,温度高于1 500℃时,Si3N4会与...

• 单位
  武汉钢铁集团公司; 武汉钢铁(集团)公司; 武汉钢铁（集团）公司; 武汉科技大学